Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N

Модуль силового ключа на базе MOSFET-транзистора FR120N для управления низковольтными цепями электроприборов/радиосхем с напряжением до 100В постоянного тока. Совместим с любыми контроллерами AVR, ARM, PIC или иными аналого-цифровыми узлами управления с напряжением логических сигналов +3.3~5В. Поддерживается широтно-импульсная модуляция с частотой до 80кГц. Входной и выходной контуры модуля гальванически развязаны через оптопару PC817. Модуль поставляется с двумя нераспаянным винтовыми клеммами на 2 и 3 контакта.

Характеристики

• Модель: HW-532 / аналог
• Входное напряжение (ШИМ): +3.3 ~ 5В постоянного тока DC
• Входной ток: до 50мА
• Силовой транзистор-ключ: IRFR120N MOSFET International Rectifier
• Напряжение питания нагрузки, макс.: 100В
• Продолжительный ток: 9.4A@10В
• Кратковременный импульсный (пиковый) ток: 38А (см. спецификацию)
• Частота ШИМ-модуляции входного сигнала, макс: 80кГц
• Индикация: рабочее питание
• Рабочая температура: -30°C ~ +85℃
• Размер: 34 x 17 x 12мм

Назначение выводов

Входная группа контактов

• PWM — плюсовая линия управления (импульсный сигнал или ШИМ)
• GND — минусовая линия управления, общий

Выходная группа контактов

• "+" — плюсовая линия напряжения источника питания и силовой нагрузки
• LOAD — минусовая линия напряжения силовой нагрузки
• "-" — минусовая линия напряжения источника питания

Документация

1. Спецификация IRFR120N MOSFET International Rectifier (англ., PDF)