Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N
Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N

Модуль управления нагрузкой на полевом транзисторе FR120N

Арт. 13875

80

менее 500 шт.

Описание

Модуль силового ключа на базе MOSFET-транзистора FR120N для управления низковольтными цепями электроприборов/радиосхем с напряжением до 100В постоянного тока. Совместим с любыми контроллерами AVR, ARM, PIC или иными аналого-цифровыми узлами управления с напряжением логических сигналов +3.3~5В. Поддерживается широтно-импульсная модуляция с частотой до 80кГц. Входной и выходной контуры модуля гальванически развязаны через оптопару PC817. Модуль поставляется с двумя нераспаянным винтовыми клеммами на 2 и 3 контакта.

Характеристики

  • Модель: HW-532 / аналог
  • Входное напряжение (ШИМ): +3.3 ~ 5В постоянного тока DC
  • Входной ток: до 50мА
  • Силовой транзистор-ключ: IRFR120N MOSFET International Rectifier
  • Напряжение питания нагрузки, макс.: 100В
  • Продолжительный ток: 9.4A@10В
  • Кратковременный импульсный (пиковый) ток: 38А (см. спецификацию)
  • Частота ШИМ-модуляции входного сигнала, макс: 80кГц
  • Индикация: рабочее питание
  • Рабочая температура: -30°C ~ +85℃
  • Размер: 34 x 17 x 12мм

Назначение выводов

Входная группа контактов

  • PWM — плюсовая линия управления (импульсный сигнал или ШИМ)
  • GND — минусовая линия управления, общий

Выходная группа контактов

  • "+" — плюсовая линия напряжения источника питания и силовой нагрузки
  • LOAD — минусовая линия напряжения силовой нагрузки
  • "-" — минусовая линия напряжения источника питания

Обратите внимание!
Не допускается перегрев силового транзистора FR120N свыше +100°С. Рекомендуется использование дополнительного охлаждения с целью сохранения его рабочей температуры не более 80°С.

 

Документация

  1. Спецификация IRFR120N MOSFET International Rectifier (англ., PDF)